Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) – ein führender globaler Anbieter von GaN, der nächsten Generation von Stromversorgungssystemen – hat Einzelheiten zu einer leistungsstarken und kostengünstigen Treiberlösung veröffentlicht. Für Anwendungen mit niedrigem bis mittlerem Stromverbrauch wie LED-Beleuchtung, Ladegeräte, Mikrowechselrichter, USVs und Spielecomputer stärkt die Designoption das Wertversprechen des Unternehmens für Kunden dieser Segmente des 3-Milliarden-Dollar-Marktes der Stromversorgungslösungen.

Im Gegensatz zu konkurrierenden e-mode GaN-Lösungen, die kundenspezifische Treiber oder Pegelumsetzungsschaltungen mit Gate-Schutzvorrichtungen erfordern, sind die SuperGaN®-FETs von Transphorm für ihre unkomplizierte Treiberfähigkeit bekannt, da sie mit handelsüblichen Treibern einsetzbar sind. Diese Fähigkeit vergrößert die Kostenvorteile, die Kunden durch den Einsatz von Transphorm-Geräten erzielen. Die überarbeitete Lösung verwendet einen nicht isolierten Hochgeschwindigkeits-Halbbrücken-Gate-Treiber, der die Gesamtkosten des Systems weiter senkt, ohne die Leistung des GaN-FETs oder des Systems zu beeinträchtigen.

„Unsere GaN-Plattform mit Grundeinstellung „Aus“ bietet den Vorteil, dass sie mit bekannten Standardtreibern kombinierbar ist. Die Möglichkeit, einen ausgewählten Treiber zu verwenden, ist ein bedeutender Pluspunkt, da Kunden Treiber anhand unterschiedlicher Leistungsvorteile auswählen und gleichzeitig mehr Kontrolle über die Kosten des Stromsystems behalten können. Besonders wichtig ist dies für preissensible Endmärkte“, so Philip Zuk, Senior Vice President, Business Development und Marketing, Transphorm. „Mit den Transphorm-Bauteilen, die eine erheblich höhere Leistung bieten, können Kunden eine Stückliste auf der Grundlage des angestrebten Endergebnisses erstellen und auf diese Weise die erforderliche Leistung so kostengünstig wie möglich erzielen.“

Transphorm empfiehlt außerdem verschiedene andere Treiber, die sich unter anderem durch hohe Isolationsspannungen (Steuer-zu-Ausgang-Treibersignale), kurze Laufzeitverzögerungen, schnelle Ein-/Ausschaltzeiten und programmierbare Totzeiten auszeichnen und somit gut für leistungsstarke Anwendungen geeignet sind.

Anwendungen mit niedrigem bis mittlerem Stromverbrauch wie Netzteile, Ladegeräte für Gaming-Laptops, LED-Beleuchtung und Ladegeräte für Zwei- und Dreiräder sind preissensibel. Die Stromversorgung dieser Produktkategorie erfordert in der Regel keine erweiterten Funktionen wie Sicherheitstrennung. Dementsprechend kann die Verwendung von Premium-Treibern die Kosten für die Stückliste unnötig erhöhen.

Leistungsanalyse

Der Halbbrücken-Gate-Treiber wurde mit dem TP65H070LSG getestet, einem 650-V-, 72-mΩ-Bauteil von Transphorm in einem PQFN88-Gehäuse. Er kann in Brückentopologien wie resonante Halbbrücken, Totem-Pol-PFC, Sinus-Wechselrichter oder Active Clamp Flyback verwendet werden.

Wie die Testergebnisse zeigen, funktioniert die kostengünstige Treiberlösung problemlos bei Schaltfrequenzen von weniger als/gleich 150 kHz mit oder ohne Kühlkörper oder Zwangsluftkühlung. In ausgewählten Konfigurationen erreichte die Lösung einen Wirkungsgrad von nahezu 99 %.

Anwendungshinweis

Weitere Einzelheiten zu dieser Lösung finden Sie in der AN0014 Application Note mit dem Titel Low Cost, High Density, High Voltage Silicon Driver for Low- to Mid-Power GaN FET Applications: https://bit.ly/3MTfQtB.

Über Transphorm

Transphorm, Inc., ein weltweit führendes Unternehmen in der GaN-Revolution, entwickelt und fertigt hochleistungsfähige und hochzuverlässige GaN-Halbleiter für Hochspannungs-Leistungswandler. Mit einem der größten Power-GaN-IP-Portfolios von mehr als 1.000 eigenen oder lizenzierten Patenten produziert Transphorm die branchenweit ersten JEDEC- und AEC-Q101-qualifizierten Hochspannungs-GaN-Halbleiterbauelemente. Das Geschäftsmodell des Unternehmens für vertikal integrierte Geräte ermöglicht Innovationen in allen Phasen der Entwicklung: Konstruktion, Fertigung, Geräte- und Anwendungsunterstützung. Die Innovationen von Transphorm bringen die Leistungselektronik über die Grenzen von Silizium hinaus und erreichen einen Wirkungsgrad von über 99 %, eine 50 % höhere Leistungsdichte und 20 % niedrigere Systemkosten. Transphorm hat seinen Hauptsitz in Goleta, Kalifornien, und betreibt Produktionsstätten in Goleta und Aizu, Japan. Weitere Informationen unter www.transphormusa.com. Folgen Sie uns auf Twitter @transphormusa und WeChat @ Transphorm_GaN.

Die Marke SuperGaN ist eine eingetragene Handelsmarke von Transphorm, Inc. Alle anderen Handelsmarken sind das Eigentum ihrer jeweiligen Inhaber.

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Originalversion auf businesswire.com ansehen: https://www.businesswire.com/news/home/20230608005327/de/

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