Shin-Etsu Chemical entwickelt ein QSTTM-Substrat für 300-mm GaN

Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. (TOKYO: 4063) (Hauptsitz: Tokio; President: Yasuhiko Saitoh; im Folgenden „Shin-Etsu Chemical“) hat ein 300-mm (12-Zoll) QST^TM-Substrat geschaffen, das ein Substrat für das epitaktische Wachstum von GaN ist, und liefert seit kurzem Proben.

Shin-Etsu Chemical hat 150-mm (6-Zoll) und 200-mm (8-Zoll) QST^TM-Substrate sowie GaN-auf-QST^TM-Epitaxialsubstrate mit diesen Durchmessern verkauft. Gleichzeitig arbeitete das Unternehmen aufgrund der starken Kundennachfrage an einer weiteren Vergrößerung des Durchmessers und entwickelte erfolgreich ein 300-mm (12-Zoll) QST^TM-Substrat. Hersteller von GaN-Bauelementen können nicht von der Vergrößerung des Materialdurchmessers profitieren, da es an großformatigen Substraten mangelt, die für das GaN-Wachstum geeignet sind, obwohl sie die vorhandenen Silizium-Produktionslinien für GaN nutzen können. Das 300-mm QST^TM-Substrat ermöglicht das epitaktische Wachstum von GaN ohne Verwerfungen oder Risse, was auf Silizium-Substraten unerreichbar war, wodurch die Kosten der Bauelemente erheblich gesenkt werden. Zusätzlich zur Erweiterung der Anlagen für 150-mm und 200-mm QST^TM-Substrate, die bereits im Gange ist, wird Shin-Etsu Chemical an der Massenproduktion von 300-mm QST^TM-Substraten arbeiten.

Da QST^TM-Substrate den gleichen Wärmeausdehnungskoeffizienten wie GaN haben, ist es möglich, Verformungen und Risse der GaN-Epitaxieschicht auf QST^TM-Substraten mit SEMI-Standardstärke einzuschränken. Dieses Substratmaterial ermöglicht ein hochwertiges und dickes GaN-Epitaxiewachstum mit einem großen Durchmesser. Unter Ausnutzung dieser Eigenschaft evaluieren viele Kunden QST^TM-Substrate und GaN-auf-QST^TM-Epitaxialsubstrate für Leistungsbauelemente, Hochfrequenzbauelemente und LEDs. Trotz des schwierigen Geschäftsumfelds sind die Kunden in die Entwicklungsphase übergegangen, um auf das jüngst gestiegene Interesse an Leistungsbauelementen, einschließlich Stromversorgungen für Rechenzentren, zu reagieren.

Die Erweiterung des Sortiments um das 300-mm QST^TM-Substrat neben den 150-mm- und 200-mm-Substraten kann die Verbreitung von GaN-Bauelementen erheblich beschleunigen. Shin-Etsu Chemical ist bestrebt, zur Verwirklichung einer nachhaltigen Gesellschaft beizutragen, in der Energie durch die soziale Implementierung von GaN-Bauelementen effizient genutzt werden kann.

Das Unternehmen plant, das 300-mm QST^TM-Substrat auf der SEMICON TAIWAN auszustellen. Die Messe findet in Taipeh, Taiwan, vom 4. bis 6. September 2024 statt.

*1: Das QST^TM-Substrat ist ein Verbundwerkstoff für das GaN-Wachstum, der von Qromis (Kalifornien, USA, CEO: Cem Basceri) entwickelt und 2019 an Shin-Etsu Chemical lizenziert wurde. QST^TM ist eine US-amerikanische Marke von Qromis (Registrierungsnummer 5277631).

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